ZEISS蔡司扫描电镜SEM

产品简介：

蔡司GeminiSEM可助您轻松实现亚纳米级分辨率的成像。出色的成像和分析技术更使FE-SEM（场发射扫描电子显微镜）如虎添翼。我们采用创新的电子光学系统和全新样品仓设计，不仅操作更加简便，用途更加灵活多样，还可为您带来更高的图像质量。无需水浸物镜即可拍摄低于1 kV的亚纳米级图像。

产品型号：GeminiSEM系列

更新时间：2025-08-06

厂商性质：代理商

访问量：479

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产品介绍

技术参数：

基本参数	蔡司 GeminiSEM 560	蔡司 GeminiSEM 460	蔡司 GeminiSEM 360
分辨率 *	0.4 nm @ 30 kV (STEM)	0.6 nm @ 30 kV (STEM)	0.6 nm @ 30 kV (STEM)
	0.4 nm @ 15 kV/ DCV**	0.5 nm @ 15 kV/DCV**	0.5 nm @ 15 kV/ DCV**
	0.7 nm @ 1 kV TD	1.0 nm @ 1 kV/500 VTD	1.0 nm @ 1 kV TD
	0.7 nm @ 1 kV/DCV**	0.9 nm @ 1 kV/ DCV**	1.0 nm @ 1 kV/DCV**
	1.0 nm @ 500 v	1.5 nm @ 200 v	—
分析分辨率	—	2.0 nm @ 15 kv, 5 nA, WD=8.5 mm	—
Inlens BSE 分辨率	1.0 nm @ 1 kv	1.2 nm @ 1 kv	1.2 nm @ 1 kv
NanoVP 模式分辨率(30 Pa)	1.4 nm @ 3 kV	1.4 nm @ 3 kv	1.4 nm @ 3 kV
NanoVP 模式分辨率(30 Pa)	1.0 nm @ 15 kv	1.0 nm @ 15 kv	1.0 nm @ 15 kv
加速电压		0.02-30 kV
探针束流	3 pA - 20 nA (100 nA 配置可选)	3 pA - 40 nA (100 nA 或 300 nA 配置可选)	3 pA - 20 nA (100 nA 配置可选)
高分辨率模式最大观察视野	在1kV下1.6mm，WD=7mm	在5kV下5mm，WD=8.5 mm	在5kV下5mm，WD=8.5 mm
概览模式最大观察视野	在15 kV下5.6 mm, WD=8.5 mm
	130 mm，最大 WD(约 50 mm)
放大倍率	1-2000000	8-2000000	8-2000000
最终安装完成后，在1kV 和 15 kV 高真空条件下未去卷积进行系统验收测试时获得的分辨率 *数字分辨率(去卷积)

性能特点：

探索蔡司Gemini电子光学系统的三种设计：

GeminiSEM 360

尽享表面敏感成像的优势并在低电压或高探针电流下实现信息收集。了解Inlens探测器、NanoVP、关联式成像查看或人工智能支持的图像分割优势。

√高样品灵活性

√出色的用户体验

√杰出的拓展能力

GeminiSEM 460

可从低电流-低电压工作条件无缝切换到高电流-高电压工作条件。通过原位加热和拉伸实验室来拓展您的应用范围。充分发挥其各项优势，如共面式EDS/EBSD配置、EDS数据的无阴影面分布和快速收集4000点/秒的EBSD图。

√兼顾高分辨率和高电流

√定制自动化工作流

√为您带来更多可能性

GeminiSEM 560

探索表面成像新标准：Gemini 3镜筒搭载全新的电子光学引擎Smart Autopilot，使样品能够在低于1 kV、分辨率低于1 nm的条件下进行无漏磁成像，且无需样品台偏压或单色器，可在您的工作条件下达到理想效果。

√表面成像的新标准

√整合专业知识

√体验出色的衬度

应用范围：

材料科学中的应用

无论是在大面积区域内还是在亚纳米分辨率下，均可轻松对真实世界样品进行成像和分析。
探索来自纳米科学、工程和能源材料或仿生材料、聚合物和催化剂等领域的应用实例。
了解GeminiSEM如何帮助您全面表征样品。

工业用显微镜解决方案

力学、光学或电子组件的失效分析
断裂分析和金相研究
表面、微观结构和器件表征
成分和相分布
确定杂质和夹杂物

电子元件和半导体中的应用

构造分析和基准分析
被动电压衬度
亚表面分析
探针测量电学性能
TEM选址

生命科学中的应用

拓扑结构的表征
对敏感、非导电、除气或低衬度样品进行成像
细胞、组织等超微结构的高分辨率成像
进行超大面积成像，如连续切片或切面成像

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